🔬 Калькулятор GDPW

Профессиональный расчет количества кристаллов на пластине для полупроводниковых приложений

Предустановки для СВЧ приложений

Диаметр пластины (мм) *

Размер кристалла X (мкм) *

Размер кристалла Y (мкм) *

Ширина линии реза (мкм) *

Краевая зона исключения (мм) *

Процент брака (%)

Макс. размер ячейки X (мкм)

Макс. размер ячейки Y (мкм)

Размер тестового монитора 1 X (мкм)

Размер тестового монитора 1 Y (мкм)

Использовать тестовый монитор 2 (TM2)

Размер тестового монитора 2 X (мкм)

Размер тестового монитора 2 Y (мкм)

Общая площадь пластины	-
Полезная площадь	-
Площадь кристалла	-
Площадь с учетом scribe	-
Реальный размер ячейки	-
Размер тестового монитора 1 (TM1)	-
Размер тестового монитора 2 (TM2)	-
Позиция TM1 (левый нижний угол)	-
Позиция TM2	-
TM2 замещает рабочий кристалл	-
Кристаллов в ячейке	-
Полных ячеек на пластине	-
Краевых кристаллов	-
GDPW	-
GDPW (с учетом брака)	-
Эффективность использования	-

Пластина

Полезная область

Ячейки мультипликации

Краевые кристаллы

Gross Dies Per Wafer - общее количество кристаллов на пластине, включая частично поврежденные кристаллы на краях.

Технология размещения нескольких идентичных структур в одном кристалле для повышения выхода годных.

Специальные структуры для контроля качества и характеристик технологического процесса.

Зона исключения по краю пластины, где кристаллы не размещаются из-за неоднородности процесса.

Плоский срез на краю пластины для ориентации. Увеличивает эффективность размещения кристаллов на ~2-3%.